г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR166W Infineon Technologies

Артикул
BCR166W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR166W.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-BCR166W,INFINFBCR166W
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFSL4115
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 99A TO262, N-Channel 150 V 99A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF540ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK, N-Channel 100 V 36A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC019N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IPA075N15N3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: FP50R12KT4B16BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFZ46ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее