г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR166W Infineon Technologies

Артикул
BCR166W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR166W.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-BCR166W,INFINFBCR166W
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7807Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR1018ETRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPP60R125C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BAR6402VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IRLR2905ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFR5410TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее