г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR166W Infineon Technologies

Артикул
BCR166W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR166W.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-BCR166W,INFINFBCR166W
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3607TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRGPS46160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 240A SUPER247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRF2204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, N-Channel 40 V 210A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG7PH50U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole PG-TO247AD
Подробнее