г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Артикул
SPD08P06PGBTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPD08P06PGBTMA1.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPD08P06PGBTMA1DKR,SPD08P06PGINDKRINACTIVE,SPD08P06PGINCT,SP000096087,SPD08P06PG,2156-SPD08P06PGBTMA1,SPD08P06PGBTMA1CT,SPD08P06PGINDKR,SPD08P06PGINTR-ND,SPD08P06P G,INFINFSPD08P06PGBTMA1,SPD08P06PGINCT-ND,SP000450534,SPD08P06PGINTR,SPD08P06PGXT,SPD08P06P
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
SPD08P06
Power Dissipation (Max)
42W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3707ZLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 59A TO262, N-Channel 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BUZ111S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFR3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSP129H6906XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRF9335PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO, P-Channel 30 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAS70-07W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCHOTTKY DIODE - HIGH SPEED SWIT, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SC-82A, SOT-343
Подробнее