г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR503E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR503E6327HTSA1.jpg
Other Names
SP000010839,BCR503E6327INDKR,BCR503E6327INDKR-ND,BCR503E6327HTSA1CT,INFINFBCR503E6327HTSA1,BCR 503 E6327,BCR503E6327INTR,BCR503E6327HTSA1DKR,BCR503E6327INTR-ND,BCR503E6327,BCR503E6327INCT-ND,BCR503E6327BTSA1,BCR503E6327XT,BCR503E6327HTSA1TR,BCR503E6327INC
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Base Product Number
BCR503
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
2.2 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW30N90T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 900 V 60 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSZ063N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IPT007N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: IPA80R600P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220, N-Channel 800 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF7329PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC265N10LSFGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON, N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее