г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR503E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR503E6327HTSA1.jpg
Other Names
SP000010839,BCR503E6327INDKR,BCR503E6327INDKR-ND,BCR503E6327HTSA1CT,INFINFBCR503E6327HTSA1,BCR 503 E6327,BCR503E6327INTR,BCR503E6327HTSA1DKR,BCR503E6327INTR-ND,BCR503E6327,BCR503E6327INCT-ND,BCR503E6327BTSA1,BCR503E6327XT,BCR503E6327HTSA1TR,BCR503E6327INC
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Base Product Number
BCR503
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
2.2 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, N-Channel 40 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5, N-Channel 80 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR2407PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFZ48NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB, N-Channel 55 V 64A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее