г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC027N06LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC027N06LS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001385616,BSC027N06LS5ATMA1-ND,BSC027N06LS5ATMA1CT,BSC027N06LS5ATMA1DKR,BSC027N06LS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC027
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ110N06NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON, N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: 2ED300C17STROHSBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 30A, IGBT Module - 2 Independent 1700 V Through Hole Module
Подробнее
Артикул: IPB017N08N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее