г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR505E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR505E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR505E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR505E6327HTSA1TR,BCR505E6327,BCR505E6327HTSA1DKR,BCR 505 E6327TR-ND,BCR 505 E6327-ND,BCR 505 E6327,BCR 505 E6327CT,BCR 505 E6327CT-ND,BCR505E6327XT,BCR 505 E6327DKR-ND,BCR 505 E6327DKR,SP000010841,BCR505E6327BTSA1,BCR505E6327HTSA1CT
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Base Product Number
BCR505
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFZ44NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK, N-Channel 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF3704
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB, N-Channel 20 V 77A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC009NE2LS5IATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON, N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRGP4650DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT - 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5852TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее