г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR512E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR512E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR512E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR512E6327,BCR512E6327HTSA1DKR,BCR512E6327HTSA1CT,BCR 512 E6327CT,BCR 512 E6327DKR-ND,BCR512E6327XT,BCR 512 E6327DKR,BCR 512 E6327TR-ND,BCR512E6327HTSA1TR,BCR 512 E6327CT-ND,BCR 512 E6327,BCR 512 E6327-ND,BCR512E6327BTSA1,SP000010844
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Base Product Number
BCR512
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R520CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO252-3, N-Channel 550 V 7.1A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IDD09SG60CXTMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 9A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BSC035N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: SPW11N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF8252TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 25A 8SO, N-Channel 25 V 25A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLMS6702TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP, P-Channel 20 V 2.4A (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Подробнее