г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR512E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR512E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR512E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR512E6327,BCR512E6327HTSA1DKR,BCR512E6327HTSA1CT,BCR 512 E6327CT,BCR 512 E6327DKR-ND,BCR512E6327XT,BCR 512 E6327DKR,BCR 512 E6327TR-ND,BCR512E6327HTSA1TR,BCR 512 E6327CT-ND,BCR 512 E6327,BCR 512 E6327-ND,BCR512E6327BTSA1,SP000010844
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Base Product Number
BCR512
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL2910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BFP410H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343, RF Transistor NPN 5V 40mA 25GHz 150mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Подробнее
Артикул: IRFS4410ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF6648TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: IRF8313TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFU9024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее