г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR583E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR583E6327.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP086N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRGS4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W D2PAK, IGBT - 600 V 11 A 58 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AIDK08S65C5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE DIODES, Diode
Подробнее
Артикул: IPA60R190P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF3711ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB, N-Channel 20 V 92A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее