BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP60R190P6XKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

Артикул: IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON, N-Channel 40 V 40A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

Подробнее

Артикул: BSS138WH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3, N-Channel 60 V 280mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Подробнее

Артикул: AUIRF2804STRL7P

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

Подробнее

Артикул: BSC057N08NS3GATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON, N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Подробнее

Артикул: IRG4PC40KDPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 600V 42A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 42 A 160 W Through Hole TO-247AC

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята