BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFR4615TRLPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak

Подробнее

Артикул: IRFR2307ZTRLPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak

Подробнее

Артикул: IMZ120R030M1HXKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1

Подробнее

Артикул: IRF2903ZPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB, N-Channel 30 V 75A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: IRFP4468PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC, N-Channel 100 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC

Подробнее

Артикул: IPP60R360P7XKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3, N-Channel 650 V 9A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята