BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLI530NPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak

Подробнее

Артикул: IPP65R190C7

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IPP65R190 - 650V AND 700V COOLMO,

Подробнее

Артикул: IRL7833S

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: BFR183E6327HTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23

Подробнее

Артикул: IRF7453TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO, N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRF7413ZPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята