BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF9520NS

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK, P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: IRL7486MTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET, N-Channel 40 V 209A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME

Подробнее

Артикул: IRGS14C40LPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 430V 20A D2PAK, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: IRF5305STRRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: IRG4BH20K-S

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: SMBT3904E6327HTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята