г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ100S Infineon Technologies

Артикул
BUZ100S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BUZ100S.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1
Other Names
IFEINFBUZ100S,2156-BUZ100S
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLB8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB, N-Channel 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKP20N60H3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 170W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSS214NWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRG4BC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC022N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6, N-Channel 40 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: FS200T12A1T4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Подробнее