BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFB3077PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: SI4435DY

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRF60R217

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, N-Channel 60 V 58A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)

Подробнее

Артикул: BSC117N08NS5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON, N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Подробнее

Артикул: IPTG014N10NM5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: TRENCH >=100V PG-HSOG-8, N-Channel 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Подробнее

Артикул: IRFP4410ZPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247AC

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята