BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFP044NPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC, N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC

Подробнее

Артикул: BSP716NH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4, N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Подробнее

Артикул: IRFR5410PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak

Подробнее

Артикул: IRFU5410

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Подробнее

Артикул: BSL307SP

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6, P-Channel 30 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6

Подробнее

Артикул: IPD60R1K4C6ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята