BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPW50R190CE

Бренд: Infineon Technologies

Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,

Подробнее

Артикул: IRF530NSTRLPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: BSC059N04LS6ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON, N-Channel 40 V 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 3W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Подробнее

Артикул: IPA60R180C7

Бренд: Infineon Technologies

Описание: 9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS, N-Channel 600 V 9A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111

Подробнее

Артикул: IKW40N60H3FKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1

Подробнее

Артикул: IAUT300N08S5N012ATMA2

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF, N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята