BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSS7728N

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3, N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Подробнее

Артикул: IPS70R600P7SAKMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Подробнее

Артикул: IRL2910PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: IPP90R340C3XKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

Артикул: IRFU3910

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Подробнее

Артикул: IRF7832Z

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята