BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR583E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP65R225C7XKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

Артикул: AUIRFS6535

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK, N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Подробнее

Артикул: BAT6406WH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount SC-70, SOT-323

Подробнее

Артикул: BSC040N08NS5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Подробнее

Артикул: BCV48H6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: TRANSISTOR AF SOT89-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89

Подробнее

Артикул: BUZ30AH

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята