г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP949H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BDP949H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 60V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BDP949H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BDP949
Other Names
BDP 949 H6327,SP000748382,BDP 949 H6327-ND
Power - Max
5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFB8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFB8407 - 20V-40V N-CHANNEL A, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFL4315
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223, N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IPT60R080G7XTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF, N-Channel 650 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IDP20C65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 650V 20A RAPID2 TO220-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 650 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRFSL4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO262, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее