г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP950H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BDP950H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PNP 60V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BDP950H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BDP950
Other Names
BDP 950 H6327,BDP 950 H6327-ND,SP000748522
Power - Max
5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH30K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS7730-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK, N-Channel 75 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BSC146N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6, N-Channel 100 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IPD70R1K4P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3, N-Channel 700 V 4A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFZ46NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK, N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее