г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP953H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BDP953H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BDP953H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BDP953
Other Names
SP000748526,BDP 953 H6327-ND,BDP 953 H6327
Power - Max
5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7480MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET, N-Channel 40 V 217A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Подробнее
Артикул: IRF9952
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR7540TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, N-Channel 60 V 90A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IPA60R190E6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BF5030WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FET RF 8V 800MHZ SOT343, RF Mosfet N-Channel 3 V 10 mA 800MHz 24dB - SOT-343
Подробнее
Артикул: IHW30N120R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1200 V 60 A 330 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее