г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN26E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFN26E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN26E6327.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
2156-BFN26E6327,INFINFBFN26E6327
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4066D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF7317PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IMW120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRFS41N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK, N-Channel 150 V 41A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF9956TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее