г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN26E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFN26E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN26E6327.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
2156-BFN26E6327,INFINFBFN26E6327
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL2910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRLZ34NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF9530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB, P-Channel 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPN70R450P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223, N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: IKP20N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, IGBT Trench 650 V 42 A 125 W Through Hole PG-TO220-3
Подробнее