г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BFN27E6327HTSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRLS3034
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFU4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF7379
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF3205LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO262, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF7413ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPB10N10L G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее