г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BFN27E6327HTSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF1018EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB, N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW20N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRGP4066D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IKQ75N120CH3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 150A TO247-3-46, IGBT - 1200 V 150 A 938 W Through Hole PG-TO247-3-46
Подробнее
Артикул: IRG4BC30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее