г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BFN27E6327HTSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPA20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IPD70R1K4P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3, N-Channel 700 V 4A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF1607
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB, N-Channel 75 V 142A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7526D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8, P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFZ48ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее