г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BFN27E6327HTSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1324S-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK, N-Channel 24 V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF7705TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP, P-Channel 30 V 8A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: AUIRGP50B60PD1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 75A 390W TO247AC, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLB3813PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB, N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL2505PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB, N-Channel 55 V 104A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее