г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFP420FH6327 Infineon Technologies

Артикул
BFP420FH6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, RF Transistor
Цена
17 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Series
*
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
3,000
Other Names
INFINFBFP420FH6327,2156-BFP420FH6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR5505
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BAS21UE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH SPEED SWITCHING DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: IRFH5104TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN, N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IPD135N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3, N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF9956TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BUZ30AH
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее