г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR183E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR183E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR183
Other Names
BFR183E6327HTSA1TR,BFR 183 E6327,BFR 183 E6327CT,BFR 183 E6327DKR,INFINFBFR183E6327HTSA1,BFR183E6327,SP000011054,BFR183E6327HTSA1CT,2156-BFR183E6327HTSA1,BFR 183 E6327DKR-ND,BFR183E6327HTSA1DKR,BFR 183 E6327-ND,BFR183E6327XT,BFR 183 E6327CT-ND,BFR 183 E63
Power - Max
450mW
Gain
17.5dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF3205Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BAT6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IPW60R160C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее