г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
41 167 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM100GD120DLCBOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DF11MR12W1M1B11BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET MODULE 1200V 50A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 10A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF200P223
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC, N-Channel 200 V 100A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSL308CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: SPD06N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Подробнее
Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее