г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR193E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR193
Other Names
BFR193E6327HTSA1TR,BFR 193 E6327,BFR 193 E6327-ND,BFR193E6327INCT,BFR193E6327INDKR-ND,BFR193E6327,BFR193E6327INTR,BFR193E6327BTSA1,BFR193E6327HTSA1CT,BFR193E6327INDKR,SP000011056,BFR193E6327INCT-ND,BFR193E6327XT,BFR193E6327HTSA1DKR,BFR193E6327INTR-ND
Power - Max
580mW
Gain
10dB ~ 15dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 19A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 19 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRGP4066DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5810TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: BCR555
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: ISC015N04NM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8, N-Channel 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее