г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR193E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR193
Other Names
BFR193E6327HTSA1TR,BFR 193 E6327,BFR 193 E6327-ND,BFR193E6327INCT,BFR193E6327INDKR-ND,BFR193E6327,BFR193E6327INTR,BFR193E6327BTSA1,BFR193E6327HTSA1CT,BFR193E6327INDKR,SP000011056,BFR193E6327INCT-ND,BFR193E6327XT,BFR193E6327HTSA1DKR,BFR193E6327INTR-ND
Power - Max
580mW
Gain
10dB ~ 15dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML0060TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23, N-Channel 60 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IPD50N06S4L12ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRFR024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFZ34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB, N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IQE006NE2LM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-4
Подробнее