г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193WH6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR193WH6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193WH6327.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
3,000
Other Names
IFEINFBFR193WH6327,2156-BFR193WH6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL1404ZSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPW60R060C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3, N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLMS1503TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6, N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRLR2908PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPT026N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF, N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее