г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGW15N120 Infineon Technologies

Артикул
SGW15N120
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
463 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGW15N120.jpg
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Power - Max
198 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Test Condition
800V, 15A, 33Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Switching Energy
1.9mJ
Gate Charge
130 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-SGW15N120,IFEINFSGW15N120
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
18ns/580ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH20KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC093N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON, N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRFR2905ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDW30G65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC30WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7828TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее