г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC028N06LS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
575 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC028N06LS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC028N06LS3G,BSC028N06LS3 GTR,SP000453652,BSC028N06LS3GATMA1DKR,BSC028N06LS3 GTR-ND,BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC028N06LS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC028N06LS3 GCT-ND,BSC028N06LS3 GDKR,BSC028N06LS3GATMA1TR,BSC028N06LS3 GCT,BSC028N06LS3 G,BSC028N06LS3 G-ND,BS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC028
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R190E6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLR2908TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLU8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 160A IPAK, N-Channel 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: FZ1200R45KL3B5NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 4500V 1200A, IGBT Module - Single 4500 V 1200 A 13500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC050N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее