г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB060N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB060N15N5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7, N-Channel 150 V 136A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Цена
1 359 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB060N15N5ATMA1.jpg
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Supplier Device Package
PG-TO263-7-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 75 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IPB060N15N5ATMA1DKR,SP001607814,IPB060N15N5ATMA1-ND,448-IPB060N15N5ATMA1TR,448-IPB060N15N5ATMA1CT
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPB060
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SGB30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: IHW40N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFR3410TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK, N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPU08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: BCR166
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее