г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC010N04LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON, N-Channel 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC010N04LSATMA1.jpg
Other Names
SP000928282,BSC010N04LSATMA1CT,BSC010N04LSATMA1TR,BSC010N04LSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC010
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7607TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8, N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: FS10R06VE3B2BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 600V 16A 50W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 16 A 50 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCX71H
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRL5602
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB, P-Channel 20 V 24A (Tc) - Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R070CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее