г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC010N04LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON, N-Channel 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC010N04LSATMA1.jpg
Other Names
SP000928282,BSC010N04LSATMA1CT,BSC010N04LSATMA1TR,BSC010N04LSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC010
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: FF450R33T3E3BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 3300 V 450 A 1000000 W Chassis Mount AG-XHP100-3
Подробнее
Артикул: 2ED300C17STROHSBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 30A, IGBT Module - 2 Independent 1700 V Through Hole Module
Подробнее
Артикул: IRF7811AVPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFS30067PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRL3715S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK, N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее