IRF8915 Infineon Technologies
Артикул
IRF8915
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
169 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF8915.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Other Names
*IRF8915
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 10V
Standard Package
95
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут