г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC010N04LSTATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON, N-Channel 40 V 39A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
536 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC010N04LSTATMA1.jpg
Other Names
BSC010N04LSTATMA1DKR,BSC010N04LSTATMA1TR,BSC010N04LSTATMA1CT,BSC010N04LSTATMA1-ND,SP001657068
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 167W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9520 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC010
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW50N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRL3716
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB, N-Channel 20 V 180A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAS7007E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT143, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAS2103WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323, Diode Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: SI4435DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее