г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC011N03LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON, N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC011N03LSATMA1.jpg
Other Names
BSC011N03LSATMA1DKR,BSC011N03LSDKR-ND,BSC011N03LSATMA1CT,BSC011N03LSDKR,BSC011N03LSATMA1TR,BSC011N03LSTR,SP000799082,BSC011N03LS,BSC011N03LSTR-ND,BSC011N03LSCT-ND,BSC011N03LSCT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC011
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFR4105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF6720S2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET, N-Channel 30 V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Подробнее
Артикул: BFQ790H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89, RF Transistor NPN 6.1V 300mA 1.85GHz 1.5W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRF7555TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: AIDW30S65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее