г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC014N04LSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
586 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC014N04LSIATMA1.jpg
Other Names
BSC014N04LSIATMA1CT,BSC014N04LSIATMA1DKR,SP000953212,BSC014N04LSIATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC014
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP051N15N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, N-Channel 150 V 120A (Tc) 500mW (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPA60R190P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF7904TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGB4045DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 12A 77W TO220AB, IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGP4066-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 454W TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее