г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC016N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
451 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC016N06NSATMA1.jpg
Other Names
BSC016N06NSDKR,BSC016N06NSTR,BSC016N06NSCT-ND,BSC016N06NSTR-ND,SP000924882,BSC016N06NSDKR-ND,BSC016N06NS,BSC016N06NSATMA1DKR,BSC016N06NS-ND,BSC016N06NSATMA1TR,BSC016N06NSATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5200 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC016
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSP171PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IPP65R660CFDAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRGP20B120UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IPW60R180P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3, N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7901D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее