г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC30UDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Power - Max
100 W
Switching Energy
380µJ (on), 160µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
50 nC
Td (on/off) @ 25°C
40ns/91ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4BC30UDPBF,SP001547712
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA80R280P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F, N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRFR3418PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK, N-Channel 80 V 70A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7304PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: SPD06N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Подробнее
Артикул: IPD100N04S402ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3, N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее