г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC022N04LS6ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC022N04LS6ATMA1.jpg
Other Names
BSC022N04LS6ATMA1DKR,BSC022N04LS6ATMA1TR,SP001720024,BSC022N04LS6ATMA1CT,BSC022N04LS6ATMA1-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 79W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC022
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4262DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 60A 250W TO247AC, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB61N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFB61N15 - 12V-300V N-CHANNEL P, N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6648TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: BAS5202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2, Diode Schottky 45 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: BSC039N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFR3707ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, N-Channel 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее