г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC022N04LS6ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC022N04LS6ATMA1.jpg
Other Names
BSC022N04LS6ATMA1DKR,BSC022N04LS6ATMA1TR,SP001720024,BSC022N04LS6ATMA1CT,BSC022N04LS6ATMA1-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 79W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC022
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF4104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS3107PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFU5305
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF830PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB, N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT165E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOD323, Diode Schottky 40 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRFB61N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB, N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее