BSC0302LSATMA1 Infineon Technologies
Артикул
BSC0302LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON, N-Channel 120 V 12A (Ta), 99A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
470 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0302LSATMA1.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 112µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7400 pF @ 60 V
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™ 2
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BSC0302
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP004486450,448-BSC0302LSATMA1DKR,448-BSC0302LSATMA1CT,448-BSC0302LSATMA1TR
Standard Package
5,000
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут