г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC030N04NSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON, N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
227 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC030N04NSGATMA1.jpg
Other Names
BSC030N04NS GCT-ND,BSC030N04NSGATMA1DKR,SP000354811,BSC030N04NS GDKR,BSC030N04NS G,BSC030N04NS GCT,BSC030N04NSGATMA1TR,BSC030N04NSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC030N04NSG,BSC030N04NS GTR,BSC030N04NS GTR-ND,BSC030N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC030N04NSGATMA1CT,BSC030N04NS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC030
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU5305
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IPW60R099CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRGP4069PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT Trench 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLHS2242TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN, P-Channel 20 V 7.2A (Ta), 15A (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRF7780MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET, N-Channel 75 V 89A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Подробнее
Артикул: SI3443DV
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6, P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее