г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC030N04NSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON, N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
227 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC030N04NSGATMA1.jpg
Other Names
BSC030N04NS GCT-ND,BSC030N04NSGATMA1DKR,SP000354811,BSC030N04NS GDKR,BSC030N04NS G,BSC030N04NS GCT,BSC030N04NSGATMA1TR,BSC030N04NSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC030N04NSG,BSC030N04NS GTR,BSC030N04NS GTR-ND,BSC030N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC030N04NSGATMA1CT,BSC030N04NS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC030
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3507
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFPS37N50APBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247, N-Channel 500 V 36A (Tc) 446W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IPD65R660CFDBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPB12CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: SPI20N65C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее