г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC030N04NSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON, N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
227 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC030N04NSGATMA1.jpg
Other Names
BSC030N04NS GCT-ND,BSC030N04NSGATMA1DKR,SP000354811,BSC030N04NS GDKR,BSC030N04NS G,BSC030N04NS GCT,BSC030N04NSGATMA1TR,BSC030N04NSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC030N04NSG,BSC030N04NS GTR,BSC030N04NS GTR-ND,BSC030N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC030N04NSGATMA1CT,BSC030N04NS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC030
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF5851TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IRL6372PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAR6405WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IRL1104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB, N-Channel 40 V 104A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP60R190P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее