г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC034N10LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON, N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
737 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC034N10LS5ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 115µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Base Product Number
BSC034
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSC034N10LS5ATMA1DKR,448-BSC034N10LS5ATMA1TR,448-BSC034N10LS5ATMA1CT,SP001385620
Standard Package
5,000
Package / Case
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BUZ73A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRF7410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: BFR182E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF1010ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее