г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC034N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC034N10LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON, N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
737 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC034N10LS5ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 115µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Base Product Number
BSC034
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSC034N10LS5ATMA1DKR,448-BSC034N10LS5ATMA1TR,448-BSC034N10LS5ATMA1CT,SP001385620
Standard Package
5,000
Package / Case
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IHW40T60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 303 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 10A MOTOR, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFZ46NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK, N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее