г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7854PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7854PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO, N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
308 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7854PBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001551588
Standard Package
95
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SMBT3906E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247-3, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFL024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223, N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: SPP17N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRFS8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFS8409 - 20V-40V N-CHANNEL A, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее