г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC047N08NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON, N-Channel 80 V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
591 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC047N08NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC047N08NS3 GCT,BSC047N08NS3G,BSC047N08NS3GATMA1TR,BSC047N08NS3 GTR-ND,BSC047N08NS3 GCT-ND,BSC047N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC047N08NS3 GDKR-ND,BSC047N08NS3 G,BSC047N08NS3GATMA1CT,BSC047N08NS3 GDKR,BSC047N08NS3GATMA1DKR,BSC047N
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC047
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR5410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSP316PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4, P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRF5305STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1, IGBT Module - 2 Independent Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFHS9301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN, P-Channel 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IPB014N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее