г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC054N04NSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON, N-Channel 40 V 17A (Ta), 81A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC054N04NSGATMA1.jpg
Other Names
BSC054N04NS GTR-ND,BSC054N04NS GCT-ND,BSC054N04NSGATMA1TR,BSC054N04NS GDKR-ND,BSC054N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC054N04NSGATMA1DKR,BSC054N04NSGATMA1CT,BSC054N04NSG,BSC054N04NS G-ND,BSC054N04NS GTR,BSC054N04NS G,BSC054N04NS GCT,BSC
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 27µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC054
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRLU7833
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK, N-Channel 30 V 140A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IKW08T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 16 A 70 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB5615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее