BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies
Артикул
BUZ31HXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
115 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BUZ31HXKSA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
95W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Other Names
SP000682992,BUZ31H,2156-BUZ31HXKSA1-IT,INFINFBUZ31HXKSA1,BUZ31 H-ND,BUZ31 H
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут