г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC057N08NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON, N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
357 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC057N08NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC057N08NS3 GCT-ND,BSC057N08NS3 G,BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC057N08NS3GATMA1TR,SP000447542,BSC057N08NS3GATMA1DKR,BSC057N08NS3 GDKR-ND,BSC057N08NS3 GCT,BSC057N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC057N08NS3 GDKR,BSC057N08NS3 GTR-ND,BSC057N08NS3G,BSC057N08NS3GATM
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC057
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Артикул: BSC057N08NS3GATMA1
Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGB4056DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 24A TO220AB, IGBT Trench 600 V 24 A 140 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRLL3303
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223, N-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 150A 790W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 790 W Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRF3805S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее