г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC061N08NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 82A TDSON, N-Channel 80 V 82A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC061N08NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC061N08NS5ATMA1DKR,BSC061N08NS5ATMA1CT,BSC061N08NS5ATMA1-ND,BSC061N08NS5ATMA1TR,SP001232634
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 41µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC061
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4063-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFP140N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC, N-Channel 100 V 33A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW40N120CS7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14 PG-TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 82 A 357 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IRF7809AVTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, N-Channel 30 V 13.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLB8721PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее