г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC061N08NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 82A TDSON, N-Channel 80 V 82A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC061N08NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC061N08NS5ATMA1DKR,BSC061N08NS5ATMA1CT,BSC061N08NS5ATMA1-ND,BSC061N08NS5ATMA1TR,SP001232634
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 41µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC061
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3415SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: IRFB7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB, N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRLS3034
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPP80N06S2-H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IMW120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее