г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC061N08NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 82A TDSON, N-Channel 80 V 82A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC061N08NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC061N08NS5ATMA1DKR,BSC061N08NS5ATMA1CT,BSC061N08NS5ATMA1-ND,BSC061N08NS5ATMA1TR,SP001232634
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 41µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC061
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7241TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCX71H
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFHM792TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD60R3K3C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3, N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее