г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC066N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6, N-Channel 60 V 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
253 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC066N06NSATMA1.jpg
Other Names
SP001067000,BSC066N06NSATMA1TR,BSC066N06NSATMA1DKR,BSC066N06NSATMA1-ND,BSC066N06NSATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC066
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSS139H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3, N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFU5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: MMBT2222ALT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: NPN SWITCHING TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 108A COPAK247, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IDP2308XUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AC/DC DIGITAL PLATFORM, Diode
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR INTELLIGENT 10A 600V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее