г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC066N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6, N-Channel 60 V 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
253 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC066N06NSATMA1.jpg
Other Names
SP001067000,BSC066N06NSATMA1TR,BSC066N06NSATMA1DKR,BSC066N06NSATMA1-ND,BSC066N06NSATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC066
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFIZ24E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP, N-Channel 60 V 14A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFS30067PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: AUIRFS8409-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRG4PC50K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 52A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 52 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW40N65ET7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW40N65ET7XKSA1, IGBT Trench Field Stop 650 V 76 A 230.8 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7815PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее