г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC070N10NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8, N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
313 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC070N10NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC070N10NS3 GDKR,BSC070N10NS3GATMA1CT,BSC070N10NS3 G-ND,SP000778082,BSC070N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC070N10NS3GATMA1DKR,BSC070N10NS3 GCT,BSC070N10NS3 GCT-ND,BSC070N10NS3GATMA1TR,BSC070N10NS3 G,BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC070N10NS3G,BSC070N10NS3GXT,BS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC070
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7309PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6217TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO, P-Channel 150 V 700mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG7PH50U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole PG-TO247AD
Подробнее
Артикул: IRF4104S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFSL4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO262, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее