г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC070N10NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8, N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
313 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC070N10NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC070N10NS3 GDKR,BSC070N10NS3GATMA1CT,BSC070N10NS3 G-ND,SP000778082,BSC070N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC070N10NS3GATMA1DKR,BSC070N10NS3 GCT,BSC070N10NS3 GCT-ND,BSC070N10NS3GATMA1TR,BSC070N10NS3 G,BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC070N10NS3G,BSC070N10NS3GXT,BS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC070
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP4332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC, N-Channel 250 V 57A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPA95R450P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 14A TO220, N-Channel 950 V 14A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRLB8748PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB, N-Channel 30 V 92A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSZ12DN20NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON, N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее