г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC070N10NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON, N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC070N10NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC070N10NS5ATMA1CT,BSC070N10NS5ATMA1TR,SP001241596,BSC070N10NS5ATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC070
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU5505
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1, IGBT Module - 2 Independent Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCW60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IPP50N10S3L16AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3, N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7700TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP, P-Channel 20 V 8.6A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRFR5505PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее