г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0911NDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Цена
326 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSC0911NDATMA1.jpg
Base Product Number
BSC0911
Other Names
BSC0911NDATMA1DKR,IFEINFBSC0911NDATMA1,2156-BSC0911NDATMA1,BSC0911NDATMA1CT,BSC0911NDATMA1TR,SP000934746
Power - Max
1W
FET Type
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 12V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TISON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC120N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON, N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: BAT2402LSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSSLP-2-1
Подробнее
Артикул: IRFR9024NTRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FS100R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module NPT Single 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCW60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее