г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0911NDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Цена
326 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSC0911NDATMA1.jpg
Base Product Number
BSC0911
Other Names
BSC0911NDATMA1DKR,IFEINFBSC0911NDATMA1,2156-BSC0911NDATMA1,BSC0911NDATMA1CT,BSC0911NDATMA1TR,SP000934746
Power - Max
1W
FET Type
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 12V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TISON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG7PH42U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 385W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 90 A 385 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRL1004SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK, N-Channel 40 V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ0905PNSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8, P-Channel 30 V 40A (Tc) 69W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8
Подробнее