г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAT2402LSE6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAT2402LSE6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSSLP-2-1
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAT2402LSE6327XTSA1.jpg
Standard Package
15,000
Base Product Number
BAT2402
Other Names
BAT2402LSE6327XTSA1TR,BAT2402LSE6327,BAT 24-02LS E6327TR-ND,BAT 24-02LS E6327CT-ND,IFEINFBAT2402LSE6327XTSA1,BAT2402LSE6327XTSA1CT,SP000304927,BAT 24-02LS E6327DKR,BAT 24-02LS E6327CT,BAT2402LSE6327XTSA1DKR,BAT 24-02LS E6327DKR-ND,BAT 24-02LS E6327-ND,215
Current - Max
110 mA
Diode Type
Schottky - Single
Power Dissipation (Max)
100 mW
Capacitance @ Vr, F
0.23pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
4V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
0201 (0603 Metric)
Supplier Device Package
PG-TSSLP-2-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFR183E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB7440PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 143W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF225R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 320 A 1050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF1503PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB, N-Channel 30 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGS4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W D2PAK, IGBT - 600 V 11 A 58 W Surface Mount D2PAK
Подробнее