г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC100N06LS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON, N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC100N06LS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC100N06LS3 GTR,SP000453664,BSC100N06LS3 G-ND,BSC100N06LS3GATMA1DKR,BSC100N06LS3GATMA1TR,BSC100N06LS3 GDKR,BSC100N06LS3 GCT,BSC100N06LS3G,BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC100N06LS3 G,BSC100N06LS3 GCT-ND,BSC100N06LS3 GTR-ND,BSC100N06LS3 GDKR-ND,BSC100N06LS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC100
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRLR3715Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A DPAK, N-Channel 20 V 49A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF3704
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB, N-Channel 20 V 77A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BUZ30AH3045AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRFS4115TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRF4905
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB, P-Channel 55 V 74A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее