г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC110N15NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 76A TDSON, N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
591 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC110N15NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC110N15NS5ATMA1-ND,SP001181418,BSC110N15NS5ATMA1CT,BSC110N15NS5ATMA1DKR,BSC110N15NS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 91µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2770 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC110
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4019H-117P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRG4PH50KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IPB60R120C7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3, N-Channel 650 V 19A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BSP372NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее