г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC360N15NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC360N15NS3GATMA1.jpg
Other Names
SP000778134,BSC360N15NS3 GCT-ND,BSC360N15NS3GXT,BSC360N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC360N15NS3 GTR-ND,BSC360N15NS3GATMA1CT,BSC360N15NS3GATMA1DKR,BSC360N15NS3 G,BSC360N15NS3G,BSC360N15NS3 GDKR-ND,BSC360N15NS3 GCT,BSC360N15NS3 GDKR,BSC360N15NS3GATMA1TR,BSC360N1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC360
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPU08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: FP75R12KT4B15BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 385W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 75 A 385 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFR4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCR183S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRFB7446PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее