г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4710PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4710PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
459 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4710PBF.jpg
Other Names
SP001575990,*IRFP4710PBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP4710
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
400
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: FS75R12KE3_B3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 355W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 100 A 355 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPD60R360P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FF450R08A03P2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, Power Driver Module IGBT Half Bridge 750 V 450 A Module
Подробнее
Артикул: IRL520NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее