г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC440N10NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC440N10NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC440N10NS3 GCT,BSC440N10NS3 G,BSC440N10NS3 GCT-ND,BSC440N10NS3 G-ND,BSC440N10NS3 GTR-ND,BSC440N10NS3 GDKR-ND,BSC440N10NS3GATMA1TR,SP000482420,BSC440N10NS3GATMA1CT,BSC440N10NS3 GDKR,BSC440N10NS3GATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
29W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC440
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3415L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO262, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL3705NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF6662TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: AUIRL1404Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO220, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BAR6702VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 200 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее